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川送出（a）有限元模型;（c）潜在分配;（d）电流密度分布。（a）当ZnO/Au界面为肖特基接触时，凉山各种应变下Li掺杂薄膜的I-V特性，凉山插入是界面为欧姆接触时的I-V特性;（b）在单个Au/ZnO/=Au单元的应变下的带结构变化。
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